UEL 1° Fase 2013
Na década de 1950, Jack Kilby e Robert Noyce criaram um dispositivo capaz de conter milhões de transistores por mm2, produzindo transformações na eletrônica. Um dos processos utilizados para a fabricação de circuitos integrados à base de SiO2 fundamenta-se na reação de Si com O2 com emprego de temperaturas que variam de 1000 a 1200 °C, quando um rendimento ótimo é atingido. O filme de SiO2 pode ser obtido expondo o silício a alta temperatura em um ambiente contendo oxigênio de alta pureza ou usando-se vapor de água.
Com base no exposto, assinale a alternativa correta.
Com base no exposto, assinale a alternativa correta.
a
Na equação química Si(s) + 2H2O(g) → SiO2(s) + 2H2(g), utilizando vapor de água, o silício é reduzido, o hidrogênio é reduzido e o número de oxidação do oxigênio é aumentado.
b
Na equação química Si(s) + O2(g) → SiO2(s), utilizando oxigênio de alta pureza, o número de oxidação do silício é aumentado.
c
O filme de SiO2 formado em ambiente contendo vapor de água é menos poroso devido à evolução de gás H2(g) como produto da reação.
d
O rendimento da reação de oxidação térmica representada por Si(s) + O2(g) → SiO2(s) independe da temperatura e do tempo de aplicação do fluxo de O2(g).
e
O rendimento da reação de oxidação térmica representada por Si(s) + O2(g) → SiO2(s) poderá ser aumentado pela inserção de agentes redutores no ambiente reacional.
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Resposta
B
Tempo médio
1 min
Resolução
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Dicas
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Dicas sobre como resolver essa questão
Erros Comuns
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Alguns erros comuns que estudantes podem cometer ao resolver esta questão
Conceitos chave
Conceitos chave sobre essa questão, que pode te ajudar a resolver questões similares
Estratégia de resolução
Uma estratégia sobre a forma apropriada de se chegar a resposta correta
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Tom
Formando em Medicina
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