A resistividade de alguns elementos químicos, como o silício (Si) e o germânio (Ge), situa-se no intervalo entre as baixas resistividades dos metais e as altas resistividades dos dielétricos (isolantes). Por essa razão, corpos constituídos desses elementos são denominados semicondutores.
Uma vantagem desses materiais é que eles podem ser utilizados na construção de termômetros. Sabendo que à temperatura de 20º C o silício apresenta resistividade elétrica de 6,0 . 108 Ω.mm2.m-1, enquanto a 700º C sua resistividade elétrica é 1,0 . 103 Ω.mm2.m-1, podemos afirmar que a condutividade elétrica (em unidades SI) do silício nesses respectivos valores de temperatura é:
1,6 . 10-3 Ω-1.m-1 e 1,0 . 103 Ω-1.m-1
1,6 . 103 Ω-1.m-1 e 1,0 . 10-3 Ω-1.m-1
1,6 . 103 Ω-1.m-1 e 1,0 . 103 Ω-1.m-1
6,0 . 10-8 Ω-1.m-1 e 1,0 . 10-3 Ω-1.m-1
1,0 . 103 Ω-1.m-1 e 6,0 . 108 Ω-1.m-1