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A resistividade de alguns elementos químicos, como o silício (Si) e o germânio (Ge), situa-se no intervalo entre as baixas resistividades dos metais e as altas resistividades dos dielétricos (isolantes). Por essa razão, corpos constituídos desses elementos são denominados semicondutores.

 

Uma vantagem desses materiais é que eles podem ser utilizados na construção de termômetros. Sabendo que à temperatura de 20º C o silício apresenta resistividade elétrica de 6,0 . 108 Ω.mm2.m-1, enquanto a 700º C sua resistividade elétrica é 1,0 . 103 Ω.mm2.m-1, podemos afirmar que a condutividade elétrica (em unidades SI) do silício nesses respectivos valores de temperatura é:

a

1,6 . 10-3 Ω-1.m-1 e 1,0 . 103 Ω-1.m-1 

b

1,6 . 103 Ω-1.m-1 e 1,0 . 10-3 Ω-1.m-1

c

1,6 . 103 Ω-1.m-1 e 1,0 . 103 Ω-1.m-1 

d

6,0 . 10-8 Ω-1.m-1 e 1,0 . 10-3 Ω-1.m-1

e

1,0 . 103 Ω-1.m-1 e 6,0 . 108 Ω-1.m-1

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Resposta
A
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